18 Infos zu Joerg Osten

1 Aktuelle Nachrichten

Kasner hat versucht, den Druck vonseinen Kindern fern zu halten, sagt er. Nur in der erstenKlasse, als die anderen sofort in die Pionierorganisationeintraten,...

1 Profile in Sozialen Netzwerken

2 Business-Profile

IMP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE ELECTRONICS/INSTITUT FUER INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK I, Muellrose, DE

› profile › H-Joerg-Osten

1 Persönliche Webseiten

(TU Delft and Tohoku University, Japan) · H. Joerg Osten (Institute of Electronic Materials and Devices, Germany) · Juzer Vasi (IIT Bombay) · Kaushik Roy › contact

2 Bücher zum Namen

Hans-Joerg Osten hat sie kennengelernt, als er ans Institut für Physikalische Chemie an der Berliner Akademie der Wissenschaften kam. Sie haben in der ...

Advanced semiconductor technology is depending on innovation and less on

3 Dokumente

von AK Katiyar · — Optical Emission Characteristics of Compressively Strained Ge Films. Ajit K. Katiyar, Andreas Grimm, Aluguri Rakesh, R. Bar, Tobias Wietler, H. Joerg Osten, ... › abstract

von AK Katiyar · · Zitiert von: 6 — Joerg Osten, H. ;; Ray, Samit K. Abstract. Compressively strained Ge films have been grown on relaxed Si0.45Ge ... › abs

von S Zhang · Zitiert von: 16 — Hans-Joerg Osten and Dieter Knoll are with the Institute for. Semiconductor Physics (IHP), Im Technologiepark 25, D Frankfurt,. Germany. › tns01_SiGeC

2 Wissenschaftliche Publikationen

Filed: July 31, Date of Patent: October 31, Assignee: IHP GmbH-Innovations for High Performance Electronics. Inventor: Hans-Joerg Osten. › assignee

› joerg-osten

6 Webfunde aus dem Netz

› web › h.jo...

› ...

Chairs: Johannes Heitmann and H. Joerg Osten. 11: · (Invited) Interface Engineering Routes for a Future CMOS Ge-Based Technology. I. Z. Mitrovic, M.

SPIE Digital Library Proceedings

Interface Engineering During Epitaxial Growth of High-K Lanthanide Oxides on Silicon - Volume 917

Novel Approach for Fabrication of Single-Crystalline Insulator/Si/Insulator Nanostructures - Volume 928