24 Infos zu Rainer Kurps

1 Aktuelle Nachrichten

... bisher von Andrea Melloni aus Berlin (boomki.de), Frank Hielscher und Rainer Kurps (Nord-Bonsai.de) und last-but-not-least: Von unserem Mitglied Hilly!

3 Profile in Sozialen Netzwerken

Sehen Sie sich das Profil von rainer kurps auf LinkedIn an, dem weltweit größten beruflichen Netzwerk. rainer kurps hat 1 Job im Profil angegeben. Sehen Sie sich auf LinkedIn das vollständige Profil an und erfahren Sie mehr über die Kontakte von rainer kurps und über Jobs bei ähnlichen Unternehmen.

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Yuji Yamamoto, Klaus Köpke, Rainer Kurps, Junichi Murota, Bernd Tillack. Журнал: Thin Solid Films. Година: Език: english. Файл: PDF, 499 KB.

1 Business-Profile

IHP GMBH - INNOVATIONS FOR HIGH PERFORMANCE MICROELECTRONICS/ INSTITUT FUR INNOVATIVE MIKROELEKTRONIK, Frankfurt, DE

3 Bücher zum Namen

Bernd Heinemann , Holger Rucker , Rainer Barth , Jurgen Drews , Oksana Fursenko , Thomas Grabolla , Rainer Kurps , Steffen Marschmeyer , Alexander Scheit ... › ...

... Rainer Kurps , both of Frankfurt an der DIODE AND FOR FORMING DIODE WITH IMPROVED Oder , Germany ; Boris Romanjuk , Kiev , Ukraine ; Viktor LIFETIME ...

... Andriy Goryachko , Rainer Kurps , Jing " ' iu and Hans - Jörg Osten for the invention entitled Evans , Michael Andre , Pech Rd . , Houston , TX ...

2 Dokumente

von MJ Klein · · Zitiert von: 39 — Inorganic Chemistry 1968, 7 (3) , https://doi.org ic50061a003; Yuji Yamamoto, Klaus Köpke, Rainer Kurps, Junichi Murota, Bernd Tillack.

· Heinemann, and Rainer Kurps. "Nonequilibrium point defects and dopant diffusion in carbon-rich silicon." Physical Review B (2001):

3 Wissenschaftliche Publikationen

Rainer Kurps for support with surface analysis characterization; Dr. Guenter. Weidner and Dr. Markus Andreas Schubert for transmission electron microscopy.

von P Dumas · — Heinemann, and Rainer Kurps. "Nonequilibrium point defects and dopant diffusion in carbon-rich silicon." Physical Review B (2001):

Herrn Dr. Rainer Kurps danke ich für die Durchführung der SIMS-Untersuchungen. Bei. Herrn Dr. Peter Zaumseil möchte ich mich für seine Ratschläge und stete ...

8 Webfunde aus dem Netz

Other languages: English; Inventor: Dietmar Dr. Krüger: Viktor Melnik: Rainer Kurps: Boris Prof. Romanjuk; Current Assignee.

Rainer Kurps Bernd Tillack B Atomic layer doping (B-ALD) of Ge is investigated at temperatures between 100 degrees C and 400 degrees C using a single wafer reduced pressure CVD system.

von Y Yamamoto · · Zitiert von: 11 — Arsenic atomic layer doping in Si using AsH3. Yuji Yamamoto, Rainer Kurps, Junichi Murota, Bernd Tillack. Tohoku University.

Yuji Yamamoto,Bernd Tillack,Klaus Köpke,Rainer Kurps. Thin Solid Films (1); [4]Tailoring of Si doping layers in GaAs during molecular beam epitaxy[J].

Yuji Yamamoto, Rainer Kurps, Christian Mai, Ioan Costina, Junichi Murota, Bernd Tillack. Research output: Contribution to journal › Article › peer-review.

Phosphorus Atomic Layer Doping in Ge using RPCVD Yuji Yamamoto a, Rainer Kurps a, Christian Mai a, Ioan Costina a, Junichi Murota b and Bernd Tillack a,c a ...

Dietmar Krueger DE; Rainer Kurps DE; Boris Romanjuk UA; Viktor Melnik UA; Jaroslav Olich UA. Method of fabricating ion implanted doping layers in ...

作者：Yuji Yamamoto ; ; Rainer Kurps ; Christian Mai ; Ioan Costina ; Junichi Murota ; Bernd Tillack ;. 关键词：Phosphorus ; Atomic layer doping ...